[发明专利]具有粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括：蓝宝石衬底；形成于蓝宝石衬底的上表面的发光外延层，该发光外延层的P-pad区上具有凹槽，且凹槽具有波浪纹侧壁及平整底面，该发光外延层的N区设置有N-pad；顺应该凹槽形状的且为Al2O3材料的电流阻挡层；顺应该电流阻挡层结构的漫反射型反射层，该漫反射型反射层上设置有P-pad；以及形成于该发光外延层及漫反射型反射层上的透明导电层。本发明还提供一种可以制作该高效反光P电极高粘附性电流阻挡结构的LED芯片的制作方法，以解决现有技术中电流阻挡层与高反光电极之间的粘附性弱，易脱落、以及LED芯片的P电极吸光、电流利用率低等问题。

主权项

一种具有粘附性电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成一发光外延层；2)于所述发光外延层上分别定义出P‑pad区及N区，交替使用刻蚀气体和钝化气体在所述P‑pad区蚀刻出具有波浪纹侧壁及平整底面的凹槽；3)于所述凹槽的表面蒸镀一层Al2O3材料，使其形成顺应该凹槽形状的电流阻挡层，以使所述电流阻挡层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第一层凹陷结构；4)于所述电流阻挡层的表面蒸镀一层顺应该第一层凹陷结构的漫反射型反射层，以使所述漫反射型反射层形成为具有波浪纹侧壁及平整底面的第二层凹陷结构；5)于所述发光外延层及漫反射型反射层上形成一透明导电层，并蚀刻所述透明导电层，以使所述第二层凹陷结构以及N区外露出所述透明导电层；以及6)于所述第二层凹陷结构上制作出P‑pad，以及于所述N区上制作出N‑pad。