[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110212815.2 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102903637A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 魏宁;汪洋 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成有凹槽；在栅极结构两侧形成牺牲侧墙；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分进行刻蚀加深凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成埋氧化层，然后去除牺牲侧墙；淀积多晶硅并进行平坦化后，回蚀刻多晶硅至浅槽隔离结构上的多晶硅具有一厚度为止；去除浅槽隔离结构上的多晶硅；形成源漏区。根据本发明的MOS器件结构的制造方法，可以增大MOS器件制造的工艺窗口，提高MOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成有凹槽；在栅极结构两侧形成牺牲侧墙；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分进行刻蚀加深凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成埋氧化层，然后去除牺牲侧墙；淀积多晶硅并进行平坦化后，回蚀刻多晶硅至浅槽隔离结构上的多晶硅具有一厚度为止；去除浅槽隔离结构上的多晶硅；形成源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
