[发明专利]半导体封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110212849.1 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN102244057A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 凯.史提芬.艾希格;伯恩.卡尔.阿培得;李明锦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括导电载体、设置于邻近于所述导电载体的上表面的芯片、图案化导电层以及包封所述芯片的介电材料。所述介电材料定义出开口,所述图案化导电层穿过所述开口电连接到所述导电载体的所述上表面。所述导电载体具有侧表面,所述侧表面包括邻近于所述导电载体的所述上表面的第一部分和邻近于所述导电载体的下表面的第二部分,其中所述第二部分相对于所述导电载体的所述下表面而向内倾斜。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装,包括:导电载体,其具有上表面、下表面和侧表面,所述侧表面包括邻近于所述导电载体的所述上表面的第一部分和邻近于所述导电载体的所述下表面的第二部分,其中所述第二部分相对于所述导电载体的所述下表面而向内倾斜;芯片,设置于邻近于所述导电载体的所述上表面;图案化导电层;以及介电材料,其包封所述芯片,其中所述介电材料定义出开口,所述图案化导电层穿过所述开口电连接到所述导电载体的所述上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110212849.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top