[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110213522.6 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332433A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第一多晶硅层；依次刻蚀所述第一多晶硅层、第一介质层、半导体衬底，形成第一凹槽，所述第一凹槽将半导体衬底分为存储区域和电容器区域；形成填充满所述第一凹槽的第一隔离结构；在所述第一多晶硅层表面依次形成第二介质层和第二多晶硅层；刻蚀所述第二多晶硅层，形成暴露第二介质层的第一开口，所述第一开口的位置与部分第一隔离结构及部分电容器区域对应；在所述存储区域形成存储单元。本发明还提供相应的存储器，利用本发明可以降低工艺的复杂性，实现低成本制造。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第一多晶硅层；依次刻蚀所述第一多晶硅层、第一介质层、半导体衬底，形成第一凹槽，所述第一凹槽将半导体衬底分为存储区域和电容器区域；形成填充满所述第一凹槽的第一隔离结构；在所述第一多晶硅层表面依次形成第二介质层和第二多晶硅层；刻蚀所述第二多晶硅层，形成暴露第二介质层的第一开口，所述第一开口的位置与部分第一隔离结构及部分电容器区域对应；在所述存储区域形成存储单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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