[发明专利]磁阻传感器有效
| 申请号： | 201110213647.9 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102410848A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 金·范乐;弗雷德里克·W·M·凡黑尔蒙特;亚普·鲁伊戈罗克;安德烈亚斯·B·M·扬斯曼;罗伯特·H·M·范费尔德温 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种磁阻传感器，包括第一和第二磁阻元件。每个磁阻元件在各自的第一端处耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a-12d，14a-14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a-10d，11a-11d)上面。第一和第二磁阻元件中每一个的磁阻段(12a-12d，14a-14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器，所述磁阻传感器包括第一和第二磁阻元件，每个磁阻元件在各自的第一端处耦接至公共接地端子，并且每个磁阻元件包括一个或多个磁阻段(12a‑12d，14a‑14d)，每个磁阻段位于激励线圈的相应段(10a‑10d，11a‑11d)上面，其中，第一和第二磁阻元件中每一个磁阻元件的磁阻段(12a‑12d，14a‑14d)的电阻相同，并且与第一磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻和与第二磁阻元件相对应的激励线圈的段的电阻相同，其特征在于，每一个磁阻元件通过隔离层与载体衬底分离，选择隔离层的厚度，使得所述磁阻元件的总电阻与所述磁阻元件和衬底之间的电容的乘积小于激励线圈所承载的激励电流的频谱中最高频率的倒数。
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