[发明专利]元器件侧壁图形化的制作方法有效
| 申请号： | 201110214087.9 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102280407A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 吴浩;赵海飞 | 申请（专利权）人： | 吴浩 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518020 广东省广州市经济*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种元器件侧壁图形化的制作方法，通过在元器件基片上开槽；将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成薄金电极层；按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金层，再加保护膜层；将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，再去除保护膜层；按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。与现有技术相比，本发明具有以下效果：通过本发明的方法，可制作侧壁图形化的元器件，该元器件侧壁的金丝互连，改善其高频特性，降低制造成本，适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 元器件 侧壁 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种元器件侧壁图形化的制作方法，包括下列步骤：(1)在元器件基片上开槽；(2)将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成金属电极层；(3)按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；(4)将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；(5)将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金属电极层，再加保护膜层；(6)将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，再去除保护膜层；(7)按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
