[发明专利]集成二极管的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

摘要

本发明涉及集成二极管的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在常规的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的发射极压焊块区域内部集成了发射极—基极之间和发射极—集电极之间的两个反并二极管。具有节约成本、节省空间、灵活方便的显著效果。

主权项

一种集成二极管的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条N型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着N型的发射极掺杂多晶硅层，该发射极掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽形栅区，每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，发射极金属层与发射极金属压焊块相连，发射极金属层与栅极金属层被钝化层覆盖，其特征在于：在发射极压焊块区域集成有发射极—基极二极管和发射极—集电极二极管；集成发射极—基极二极管的P型区域和集成发射极—集电极二极管的P型区域为同一个P型区域；集成二极管的P型区域与发射极金属层相连；集成二极管的P型区域包围有高掺杂浓度的集成二极管的N型区域，集成二极管的N型区域经栅极掺杂多晶硅层与栅极金属层相连。