[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110214601.9 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102412261A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 上村仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明抑制半导体装置的保护环区的载流子积蓄。半导体装置具有IGBT单元，该IGBT单元由n-型漂移层(11)中形成的基极区(14)和发射极区(15)，以及隔着n型缓冲层(13)而在漂移层(11)下配置的p型集电极层(12)构成。在IGBT单元的周围配置有形成保护环(31)的保护环区。保护环区的下表面是去除集电极层(12)的台面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层下方；IGBT单元，具有在所述第一半导体层形成的基极区和发射极区且以所述第二半导体层为集电极层；以及保护环区，包围配置有所述IGBT单元的单元区，具有在所述第一半导体层形成的保护环，在所述保护环区的下部中，去除所述第二半导体层。
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