[发明专利]可控功率倒装阵列LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201110214740.1 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102244087A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可控功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。可控功率倒装阵列LED芯片为：阵列LED芯片由多个阵列单元构成阵列，其中所有的阵列单元每一行的p电极层（10）连接，每一列的n电极层（5）连接；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；所有的n电极层（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；其中每一行的p电极层（10）通过p电极层（10）窗口上方的p电极连接金属层（11）连接；在p电极连接金属层（11）表面还有钝化层（12）。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 功率 倒装 阵列 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可控功率倒装阵列LED芯片，其特征在于：阵列LED芯片由多个阵列单元构成阵列，其中所有的阵列单元每一行的p电极层（10）连接，每一列的n电极层（5）连接；所述每个阵列单元的结构是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；所有的n电极层（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；其中每一行的p电极层（10）通过p电极层（10）窗口上方的p电极连接金属层（11）连接；在p电极连接金属层（11）表面还有钝化层（12）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
