[发明专利]防闩锁效应的保护环结构和验证方法有效
| 申请号： | 201110214893.6 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903713A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 廖炳隆;余超;吴健;徐雁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防闩锁效应的保护环结构，在所述P阱的形成有P+保护环，所述P+保护环环绕在所述NMOS周围；在所述N阱中不形成保护环。本发明保护环结构具有良好的闩锁抑制能力，能够缩减器件面积，并降低成本。本发明还提供一种防闩锁效应的保护环结构的验证方法，能够良好的验证保护环结构的抑制闩锁效应的能力，并能得到发生闩锁效应的位置分布，方便保护环结构的不断改善。 | ||
| 搜索关键词： | 防闩锁 效应 保护环 结构 验证 方法 | ||
【主权项】：
一种防闩锁效应的保护环结构，在硅衬底上形成有P阱和N阱，在所述P阱中形成有NMOS，在所述N阱中形成有PMOS，其特征在于：保护环结构为一种非对称型结构，在所述P阱的形成有P+保护环，所述P+保护环环绕在所述NMOS周围；在所述N阱中不形成保护环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
