[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201110215067.3 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347445A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 大西润哉;山崎信夫;石原数也;井上雄史;玉井幸夫;粟屋信义 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;王忠忠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极与第二电极之间夹持电阻变化层而成的可变电阻元件用于信息存储中，其特征在于,所述可变电阻元件在所述电阻变化层与所述第一电极之间被插入电阻值固定的缓冲层而成；所述电阻变化层包含n型第一金属氧化物；所述缓冲层包含n型第二金属氧化物；所述第一金属氧化物的导带底的能量比所述第二金属氧化物的导带底的能量高；所述第二电极与所述电阻变化层欧姆接触；所述第一电极的功函数比所述第二电极的功函数大。
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