[发明专利]具有逻辑件和嵌入式MIM电容器的系统有效
| 申请号： | 201110215267.9 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102403318A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 崔正烈 | 申请（专利权）人： | 默思股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种嵌入式存储系统包括一随机存取存储器(RAM)单元阵列，此随机存取存储器(RAM)单元阵列与一逻辑晶体管阵列位于同一基板上。每一RAM单元包括一存取晶体管和一电容器结构。所述电容器结构通过在一电介质层中形成一金属-绝缘体-金属电容器制造而成。嵌入式RAM系统中的逻辑区域所包括的金属层比存储区域所包括的金属层要少。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 逻辑 嵌入式 mim 电容器 系统 | ||
【主权项】：
一种建立在一基板上的半导体结构，其包含：一存储区域，具有嵌入式RAM；一逻辑区域，被耦合至所述存储区域；一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，被配置在所述存储区域中；及一或更多个金属层，位于所述MIM电容器的一顶面与一底面之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
