[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法及光电转换元件

摘要

在相同的等离子体反应腔室(101)中进行至少两个等离子体处理步骤的情况下，按照每个步骤中等离子体处理所需的电源选择CW交流电源或脉冲调制交流电源。因此，即使在等离子体处理条件由于装置构造而受到限制的步骤中，也可以进行更多种的等离子体处理。而且，通过使用脉冲调制的交流电源，均匀的等离子体可以在电极之间产生，并且提供在电极之间的功率可以减小。由于可以减小等离子体处理速率，所以处理的质量控制变得容易。

主权项

一种光电转换元件的制造方法，该光电转换元件包括多个pin结构多层体，该光电转换元件在相同的等离子体反应室中通过等离子体化学气相沉积方法层叠在衬底上，所述多个pin结构多层体的第一pin结构多层体包括p型硅基半导体层、i型非晶硅基半导体层、以及n型硅基半导体层，所述多个pin结构多层体的第二pin结构多层体包括p型硅基半导体层、i型晶体硅基半导体层、以及n型硅基半导体层，采用脉冲调制交流电源作为等离子体处理的电源形成所述第一pin结构多层体的所述i型非晶硅基半导体层，以及采用连续波形交流电源作为等离子体处理的电源形成所述第二pin结构多层体的所述i型晶体硅基半导体层。