[发明专利]温控半导体处理装置有效
| 申请号： | 201110215745.6 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903624A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种温控半导体处理装置，所述温控半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。与现有技术相比，本发明通过在所述空腔的不同外围区域设置若干个温度控制模块的方式，获得了针对所述空腔不同区域的多点温度控制，从而获得对所述空腔内不同区域的化学反应速率的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 温控 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种温控半导体处理装置，其特征在于，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，半导体晶圆被装载于所述微腔室部内形成的空腔中，且半导体晶圆与所述空腔的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室部中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，所述微腔室部还包括有设置于所述空腔的外围区域的温度控制模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
