[发明专利]层压体以及用该层压体制造超薄基片的方法和设备有效
申请号: | 201110216992.8 | 申请日: | 2003-06-02 |
公开(公告)号: | CN102420114A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 野田一树;岩泽優 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/683;B32B27/06;B32B27/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种层压体,其包括待研磨基片和载体,该基片被研磨至很小厚度,而且能在不损坏基片的情况下与载体分离。本发明的一个实例是一种层压体,其包括待研磨基片,与待研磨基片接触的粘合层,含有吸光剂和可热分解树脂的光热转换层,和透光载体。对与粘合层接触面相反的基片表面进行研磨之后,通过透光层辐照该层压体,光热转换层分解,使基片与透光载体分离。 | ||
搜索关键词: | 层压 以及 体制 超薄 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于制造层压体的设备,所述层压体包括:待研磨基片;与所述基片接触的粘合层;位于该粘合层下方的光热转换层,其含有吸光剂和可热分解树脂;和位于该光热转换层下方的透光载体;施加于光热转换层的辐射能导致可热分解树脂发生热分解,热分解产生的气体将光热转换层分成两部分,从而分离载体和基片;所述可热分解树脂选自:聚氨酯、聚酯、聚原酸酯、聚乙烯基吡咯烷酮、偏二氯乙烯和丙烯腈的共聚物、有机硅树脂、含有聚氨酯单元的嵌段共聚物、或其组合;其中位于透光载体上的光热转换层在减压条件下通过粘合层被层压在待研磨基片上,所述设备包括:真空室,它能减压至预定压力;位于所述真空室中的支撑部件,在该支撑部件上安放(i)待研磨基片或(ii)透光载体,其上形成有光热转换层;和位于所述真空室中的固定和放松装置,它能在所述支撑部件的上部在垂直方向上移动,能夹持另一个待研磨基片或其上形成有光热转换层的透光载体的外缘,在待研磨基片与光热转换层非常接近时还能将其松开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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