[发明专利]制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法

摘要

本发明涉及制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法。一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：形成栅线；在栅线上形成绝缘层；形成第一硅层、第二硅层、第一金属层和第二金属层；形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案；通过蚀刻第一金属层和第二金属层来形成第一金属图案和第二金属图案；用SF6或SF6/He处理第一金属图案；通过蚀刻第二硅层和第一硅层来形成硅图案和半导体图案；去除光致抗蚀剂图案的第一部分；通过湿蚀刻第二金属图案来形成数据配线的上层；通过蚀刻第一金属图案和硅图案来形成数据配线的下层和欧姆接触；在上层上形成包括接触孔的钝化层；及在钝化层上形成像素电极。

主权项

一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅线；在所述栅线上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、第一金属层和第二金属层；在所述第二金属层上形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二金属层和所述第一金属层，形成第二金属图案和第一金属图案；用SF6或包括SF6和He的气体混合物预处理所述第二金属图案；通过利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模分别蚀刻所述第二非晶硅层和所述第一非晶硅层，形成非晶硅图案和半导体图案；去除所述光致抗蚀剂图案的所述第一部分；通过利用所述第二部分作为掩模湿蚀刻所述第二金属图案，形成数据配线的上层；通过利用所述第二部分作为掩模蚀刻所述第一金属图案和所述非晶硅图案，分别形成所述数据配线的下层和欧姆接触；在去除所述第二部分之后，在所述上层上形成包括接触孔的钝化层；和在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述上层。