[发明专利]具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110218303.7 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102420210A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;廖鄂斌;吴仓聚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法包括：在硅衬底中形成开口，在开口的侧壁和底部上形成第一绝缘层，在开口的侧壁和底部上形成第二绝缘层。第一绝缘层和硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。第二绝缘层和导电层之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔 tsv 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：硅衬底；硅通孔(TSV)结构，穿透所述硅衬底；以及绝缘结构，形成在所述硅衬底和所述TSV结构之间，其中，在所述绝缘结构和所述硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述绝缘结构和所述TSV结构之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。
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