[发明专利]双沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种双沟槽隔离结构的形成方法包括：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩膜层；以图案化第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口；去除第二掩膜层，在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层、衬垫层和部分顶层硅至设定深度，形成第二开口，第一开口区域与第二开口区域部分重叠；去除所述第一掩膜层；继续刻蚀所述第一开口暴露出的顶层硅至掩埋绝缘层，形成第一沟槽，第二开口也同时被刻蚀，暴露出衬垫层和顶层硅，形成第二沟槽。所述方法避免了在形成第一沟槽和第二沟槽之后，第一沟槽和第二沟槽重叠区域的掩埋绝缘层被刻穿的缺陷。

主权项

一种双沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在所述的顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩膜层；以图案化第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层，形成第二开口；在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成第一掩膜层，并曝光，显影形成第一掩膜层图案，以所述第一掩膜层图案为掩膜，刻蚀硬掩膜层、衬垫层和部分顶层硅至特定深度，形成第一开口，第一开口区域与第二开口区域部分重叠；去除所述第一掩膜层图案；继续刻蚀所述第一开口暴露出的顶层硅至掩埋绝缘层，形成第一沟槽，刻蚀第二开口也同时被刻蚀，暴露出衬垫层和顶层硅，形成第二沟槽。