[发明专利]化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201110218623.2 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102909646A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 邵群;王庆玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨方法包括：利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；选出具有研磨残留的晶圆；覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与第一待研磨层的材质相同；研磨去除晶圆上的第二待研磨层。本发明所述化学机械研磨方法在具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，并利用固定颗粒研磨垫对第二待研磨层进行研磨，第二待研磨层的材质与第一待研磨层材质相同，故以相同的研磨方式进行研磨；在研磨第二待研磨层的过程中，固定颗粒研磨垫的研磨速率逐渐提高并达到一稳定值，在去除了第二待研磨层同时，利用研磨速率的惯性作用彻底去除研磨残留，从而提高了研磨效果，彻底去除研磨残留。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，用于提高固定颗粒研磨垫的研磨效果，包括：利用固定颗粒研磨垫研磨去除晶圆上的第一待研磨层；检测所述晶圆的研磨效果，选出具有研磨残留的晶圆；在所述具有研磨残留的晶圆上覆盖第二待研磨层，所述第二待研磨层的材质与所述第一待研磨层的材质相同；利用所述固定颗粒研磨垫研磨去除所述第二待研磨层及所述研磨残留。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110218623.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
