[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201110219044.X | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102280501A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王强;朱海峰;花国然;章国安;陆健 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 吴静安 |
| 地址： | 226019*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜，其中所述顶电极被N型硅薄膜所包裹，所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围，在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结，所述底电极与N型硅薄膜连接。其制作步骤是：1）制备底电极；2）第一次淀积P型硅薄膜；3）第二次淀积P型硅薄膜；4）第一次淀积N型硅薄膜；5）形成欧姆接触区；6）制备顶电极；7）第二次淀积N型硅薄膜；8）激光刻蚀P型硅薄膜通槽；9）第三次淀积P型硅薄膜。优点是：提高了太阳能电池的受光面积，从而提高了电池的光电转换效率；同时制作容易，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基埋栅 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅基埋栅薄膜太阳能电池，包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜，其中所述顶电极被N型硅薄膜所包裹，所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围，在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结，所述底电极与N型硅薄膜连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
