[发明专利]高亮度发光二极管有效
申请号: | 201110219433.2 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102569572A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄坤富;张峻荣;郭奇文;陈俊荣;方国龙;赵志伟 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种高亮度发光二极管,包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层,依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接,而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层,其环周式地裹覆第二电极,且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度,以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜,借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用,借此大幅提高发光二极管的亮度。 | ||
搜索关键词: | 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种高亮度发光二极管,其特征在于包含:一基板,该基板上形成有一上镀化层;一导体层,设置于该上镀化层上方;一第一半导体层,设置于该导体层上;一发光层,设置于该第一半导体层上;一第二半导体层,设置于该发光层上;一第一电极,与该导体层电性连接;一第二电极,具有相对的二端部,该第二电极穿越该导体层、该第一半导体层及该发光层,并以二该端部分别与该上镀化层及该第二半导体层电性连接;以及一绝缘结构,包含至少二保护层,该至少二保护层环周式地裹覆该第二电极,使该第二电极与该导体层、该第一半导体层及该发光层电性绝缘,各该保护层的厚度值分别相等于反射频谱中心波长数值除以各该保护层的四倍折射率数值所得的商数数值。
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