[发明专利]PN结隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110219442.1 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102254933A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;陈敏;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PN结隔离结构及其形成方法，所述PN结隔离结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底上的N型外延层；贯穿所述N型外延层的沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述P型衬底；填充在所述沟槽中的P型半导体层。本发明有利于减小占用的芯片面积，而且工艺简单，可控性好。 | ||
| 搜索关键词： | pn 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PN结隔离结构，其特征在于，包括：P型衬底；位于所述P型衬底上的N型外延层；贯穿所述N型外延层的沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述P型衬底；填充在所述沟槽中的P型半导体层。
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