[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110219850.7 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903752A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;朱焕平 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法，高压元件形成于第一导电型基板中，高压元件包含：第二导电型埋层，形成于第一导电型基板中；第一导电型井区，由剖视图视之，第一导电型井区介于基板上表面与第二导电型埋层之间；以及第二导电型井区，与第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，第二导电型井区包括井区下表面，其具有第一部分与第二部分，第一部分位于第二导电型埋层上方，并与第二导电型埋层电性耦接，且第二部分不在第二导电型埋层上方，并与第一导电型基板形成PN接面。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一基板上表面，其特征在于，该高压元件包含：一第二导电型埋层，形成于该第一导电型基板中；一第一导电型井区，形成于该基板上表面下方，且由剖视图视之，该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间；以及一第二导电型井区，形成于该基板上表面下方，且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，该第二导电型井区包括一井区下表面，且该井区下表面具有第一部分与第二部分，该第一部分位于该第二导电型埋层上方，并与该第二导电型埋层电性耦接，且该第二部分不在该第二导电型埋层上方，并与该第一导电型基板形成PN接面。
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