[发明专利]具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管无效

专利信息
申请号: 201110220519.7 申请日: 2011-08-01
公开(公告)号: CN102593166A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 申请(专利权)人: 茂达电子股份有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是有关于一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管,包含一集极结构、一实体接触该集极结构的漂移区,及一实体接触该漂移区的栅极结构、一第一射极结构与一第二射极结构,该第一射极结构包括一井区及一实体接触井区的源极区,该第二射极结构包括一分流区,该集极结构、该井区及该分流区成第一电性,该漂移区与该源极区成第二电性。本发明借由该第二射极结构的分流区提供元件在导通时另一分流路径以避免寄生栅流体的导通引发元件失效,并提供在关闭的过程中载子复合的另一路径,提高载子复合效率,提高元件运算反应速度。
搜索关键词: 具有 运算 反应速度 绝缘 栅双载子 晶体管
【主权项】:
一种具有高运算反应速度的绝缘栅双载子晶体管,其包含:一个集极结构、一个漂移区、一个栅极结构,以及一个第一射极结构,该集极结构成第一电性,该漂移区成相反于该第一电性的第二电性并实体接触该集极结构,该栅极结构包括一层导电层,及一层隔离该导电层和该漂移区的介电层,该第一射极结构包括一个成第一电性并实体接触该漂移区和该栅极结构的介电层的井区、一个成第二电性并位于该井区中的源极区,及一个实体接触该井区及该源极区并用于对外电连接的第一接触插塞;其特征在于:其还包含一个第二射极结构,该第二射极结构包括一个成第一电性且实体接触该漂移区的分流区,及一个实体接触该分流区并可对外电连接的第二接触插塞,该分流区借该漂移区不实体接触该第一射极结构的井区和源极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂达电子股份有限公司,未经茂达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110220519.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top