[发明专利]负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法有效
| 申请号： | 201110221007.2 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102390833A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 张新;王璜;卢涛 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，属于多晶硅生产领域。本发明方法经过以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到废液储罐，废液储罐压力控制在表压20-900kPa；2)废液储罐中的氯硅烷废液依靠自身压差进入绝对压力20kPa以下的负压蒸发器，负压蒸发器中的氯硅烷在负压下直接气化成氯硅烷气体；3)通过抽气机将负压蒸发器中的氯硅烷气体抽入氯硅烷回收储罐，液化形成氯硅烷液体；4)负压蒸发器中的残留的渣进行水解，然后无害化处理。本发明不需要消耗热能，不需要使用循环水等冷却介质，流程相对简单，节约大量辅助设备、管道等，操作温度较低，避免了高温时氯硅烷强腐蚀性对设备材质的高要求。 | ||
| 搜索关键词： | 回收 改良 西门子 生产 多晶 废弃 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
负压回收改良西门子法生产多晶硅中废弃氯硅烷的方法，其特征在于经过以下步骤：1)收集废弃氯硅烷输送到废液储罐，废液储罐压力控制在表压20‑900KPa；2)废液储罐中的氯硅烷废液依靠自身压差进入绝对压力20KPa以下的负压蒸发器，负压蒸发器中的氯硅烷在负压下直接气化成氯硅烷气体；3)通过抽气机将负压蒸发器中的氯硅烷气体抽入氯硅烷回收储罐，液化形成氯硅烷液体；4)负压蒸发器中的残留的渣进行水解，然后进行无害化处理。
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