[发明专利]一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201110221553.6 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102916128A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;刘易 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电阻型存储器技术领域，涉及一种与标准逻辑工艺兼容的氧化钨基电阻型存储器的制备方法，其包括步骤：构图刻蚀所述上电极材料层以在存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除。该方法无需增加额外掩膜版即可形成氧化钨基存储介质层，可省去一次光刻步骤，简化工艺流程，节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法，所述氧化钨基电阻型存储器通过对互连后端结构的钨栓塞氧化形成，所述钨栓塞包括存储阵列部分的钨栓塞和逻辑部分的钨栓塞，该制备方法包括以下步骤：提供互连后端结构中钨栓塞暴露的结构；对所有暴露的钨栓塞氧化以形成氧化钨基阻变存储介质层；沉积上电极材料层以覆盖所述氧化钨基阻变存储介质层；以及构图刻蚀所述上电极材料层以在所述存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其特征在于，在所述刻蚀步骤中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使所述逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除。
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