[发明专利]清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法有效
| 申请号： | 201110223862.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102909204A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐乃涛 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B08B11/00 | 分类号： | B08B11/00;B08B3/00;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其包括以下步骤：用BOE和EG混合溶剂漂洗圆片；用表面活性剂清洗圆片，再喷淋甩干圆片；去除圆片上的光刻胶；再次用BOE与EG漂洗；以及使用去离子水清洗圆片。本发明涉及的清洗方法可实现对圆片上残留刻蚀污染物的优化清洗，避免圆片上的结构被残留刻蚀物污染，从而提高圆片上的器件的可靠性，降低失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：其包括以下步骤：用BOE和EG混合溶剂漂洗圆片；用表面活性剂清洗圆片，再喷淋甩干圆片；去除圆片上的光刻胶；再次用BOE与EG漂洗；以及使用去离子水清洗圆片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美新半导体（无锡）有限公司，未经美新半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110223862.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
