[发明专利]金属薄膜电容及其制备方法

摘要

本发明公开了一种金属薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板的顶部设有带引出端Ⅰ的金属薄膜电极Ⅰ，在引出端Ⅰ接口外的金属薄膜电极Ⅰ表面上设有介质薄膜，在介质薄膜的顶部设有带引出端Ⅱ的金属薄膜电极Ⅱ。本发明采用五氧化二钽等既绝缘，又具有良好的化学稳定性的材料制成的薄膜作为电介质，解决一般薄膜电容器电介质的介电常数低，耐热差，成膜性差，机械强度低等问题。而且通过掩膜工艺，沉积两层金属膜作为上下电极，极大地减少了金属用量，降低了生产成本，制作工艺简单。选用钽、铌、铜、银等金属或它们合金作为金属薄膜电极，它们的电阻率很低，并且可耐高温高压，具有较高的稳定性，可适应多种复杂环境。

主权项

1.一种金属薄膜电容，包括绝缘基板（4），其特征在于：在绝缘基板（4）的顶部设有带引出端（6）的金属薄膜电极（1），在引出端（6）接口外的金属薄膜电极（1）表面上设有介质薄膜（2），在介质薄膜（2）的顶部设有带引出端（7）的金属薄膜电极（3）。