[发明专利]一种栅源侧台保护的晶体管功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110224494.8 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102254943A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅源侧台保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层，所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层；所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上，并且，所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上，作为所述多晶硅的上保护层；所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面，作为所述多晶硅层的下保护层；所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和源电极之间，用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。本发明对栅源之间具有保护作用，防止短路，增加栅源绝缘性能，结构简单，工艺也较简单，产率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅源侧台 保护 晶体管 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅源侧台保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层，其特征在于；所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层；所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上，并且，所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上，作为所述多晶硅的上保护层；所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面，作为所述多晶硅层的下保护层；所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和所述源电极之间，用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。
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