[发明专利]多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法无效
| 申请号： | 201110225435.2 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102351362A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 罗成;杨远辉;范协诚;李刚;林冲;向怀果 | 申请（专利权）人： | 天威四川硅业有限责任公司 |
| 主分类号： | C02F9/10 | 分类号： | C02F9/10;C01D3/04;C02F101/12 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 611430 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法，其处理步骤为：A.对聚集在水池内的高含氯离子废水进行预处理，得到澄清度和pH值达标的氯化钠溶液和沉淀；B.将氯化钠溶液进行浓缩，得到40%~50%的氯化钠浓缩液及50%~60%的回用水，并将沉淀进行过滤；C.将氯化钠浓缩液进行蒸发结晶得到氯化钠固液混合物；D．将含有结晶体的氯化钠固液混合物进行过滤和吹干得到纯度较高的氯化钠盐。本发明采用先浓缩后蒸发的工艺，将废水变废为宝，尽可能回用，节约水资源，且能产生高品质的氯化钠固体盐，而且相对成本降低，节省蒸汽用量、电能等。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产 中高 氯离子 废水 处理 方法 | ||
【主权项】：
多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法，其特征在于处理步骤为：A.对聚集在水池内的高含氯离子废水进行预处理得到澄清度和pH值达标的氯化钠溶液和沉淀，具体指标为SS<25mg/l，pH在6~9；B.将步骤A得到的氯化钠溶液进行浓缩，得到40%~50%的氯化钠浓缩液及50%~60%的回用水；并将沉淀进行过滤，过滤后得到饼状的废渣；C.将步骤B得到的氯化钠浓缩液进行蒸发，当有晶体析出时将饱和氯化钠溶液进行冷却结晶得到氯化钠固液混合物；D．将步骤C得到的含有结晶体的氯化钠固液混合物进行过滤和吹干，过滤出氯化钠晶体颗粒，形成氯化钠盐，滤液再循环蒸发。
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