[发明专利]一种检测结构及形成方法和检测方法有效
| 申请号： | 201110226193.9 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931170A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测结构及形成方法和检测方法，所述检测结构包括：位于所述半导体衬底第一区域内的若干多边形有源区，位于所述半导体衬底第一区域内且形成在所述有源区周围的浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底第二区域内的离子掺杂区；覆盖所述有源区和浅沟槽隔离结构的栅氧化层，位于所述栅氧化层表面的多晶硅层；覆盖所述半导体衬底和多晶硅层的介质层，位于所述多晶硅层表面的第一导电插塞，位于所述离子掺杂区表面的第二导电插塞；位于所述介质层表面的第一金属层和第二金属层。所述检测结构通过一次测量所述栅氧化层的击穿电压，可以检测出所述检测结构的有源区转角是否受到损伤，从而判断出待检测的半导体器件的有源区转角是否损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底第一区域内的若干多边形有源区，位于所述半导体衬底第一区域内且形成在所述有源区周围的浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底第二区域内的离子掺杂区；覆盖所述有源区和浅沟槽隔离结构的栅氧化层，位于所述栅氧化层表面的多晶硅层；覆盖所述半导体衬底和多晶硅层的介质层，位于所述多晶硅层表面且贯穿所述介质层的第一导电插塞，位于所述离子掺杂区表面且贯穿所述介质层的第二导电插塞；位于所述第一导电插塞和介质层表面的第一金属层，位于所述第二导电插塞和介质层表面的第二金属层。
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