[发明专利]晶片级成型的光耦合器无效
| 申请号： | 201110226350.6 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102914832A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;钱秋晓 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片级成型的光耦合器。示例性封装件包括：基板，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及设置于第一表面和第二表面之间的电绝缘材料主体；第一光电器件，埋入基板的电绝缘材料主体中，并设置于基板的第一表面和第二表面之间，第一光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；第二光电器件，埋入基板的电绝缘材料主体中，并设置于基板的第一表面和第二表面之间，并与第一光电器件光耦合，第二光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；以及多条电迹线，设置于基板的一个或两个表面上并电耦接至光电器件的导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 成型 耦合器 | ||
【主权项】：
一种光耦合器封装件，包括：基板，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及设置于所述第一表面和所述第二表面之间的电绝缘材料主体；第一光电器件，埋入所述基板的所述电绝缘材料主体中，并设置于所述基板的第一表面和第二表面之间，所述第一光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；第二光电器件，埋入所述基板的所述电绝缘材料主体中，并设置于所述基板的第一表面和第二表面之间，并与所述第一光电器件以光学方式耦合，所述第二光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；第一电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第一光电器件的第一导电区域；第二电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第一光电器件的第二导电区域；第三电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第二光电器件的第一导电区域；以及第四电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第二光电器件的第二导电区域。
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