[发明专利]一种双极结晶体管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110226834.0 申请日: 2011-08-09
公开(公告)号: CN102931225A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 张晋伟;詹景琳;吕晋贤;李明东;杜硕伦 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L21/331
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。该双极结晶体管包括阱区、射电极、基电极、集电极与导电层。射电极、基电极与集电极通过阱区互相分开。导电层位于基电极与集电极之间的阱区上。该双极结晶体管的制造方法,包括:形成一导电层于一阱区上;以及形成一射电极、一基电极与一集电极于该阱区中,其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开,该导电层位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
搜索关键词: 一种 结晶体 及其 制造 方法
【主权项】:
一种双极结晶体管,包括:一阱区;一射电极;一基电极;一集电极,其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开;以及一导电层,位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
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