[发明专利]一种LED漫反射杯的制备方法无效
| 申请号： | 201110227271.7 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102280537A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;习爽;史铁林;张雷;刘丹 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED漫反射杯的制备方法，步骤为：①在清洗后的硅片上涂覆光刻胶；②对光刻胶进行曝光、显影，得到光刻胶的微槽阵列；③刻蚀硅片形成微槽，得到反射杯体；④去除反射杯体上的光刻胶；⑤将去除光刻胶的反射杯体加热，高温生长纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。由于在反射杯内壁上覆盖有用于光线漫反射的纳米结构，反射杯体直接通过刻蚀硅片得到。所以当芯片工作时，光线照射于反射杯的内壁上可以产生多次反射，从而具备均匀的发光效果。反射杯体通过刻蚀硅片直接得到，具有耐热性好、制备简单、易于微型化及适合大批量制备等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 漫反射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED漫反射杯的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：第1步在清洗后的硅片上涂覆光刻胶；第2步对光刻胶进行曝光、显影，得到光刻胶的微槽阵列；第3步刻蚀硅片形成微槽，得到反射杯体；第4步去除反射杯体上的光刻胶；第5步将去除光刻胶的反射杯体加热，高温生长纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。
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