[发明专利]硅晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 201110227384.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102376749A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 出合博之;高山诚治 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供硅晶片，其包括：硅基材；位于硅晶片的一个面上的第一外延层，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值被设定为等于或大于1×1018个原子/cm3；及位于所述第一外延层上的第二外延层，其具有与所述第一外延层相同的导电型，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值被设定为等于或小于5×1017个原子/cm3；其中通过将调节晶格常数的材料掺杂进入所述第一外延层中，控制所述第一外延层的晶格常数(a1)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a1-aSi)/aSi)以及所述第二外延层的晶格常数(a2)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a2-aSi)/aSi)小于临界晶格错配度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅晶片，其包括：具有等于或大于0.1Ω·cm的电阻率的硅基材；在所述硅晶片的一个面上提供的第一外延层，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值为等于或大于1×1018个原子/cm3；及在所述第一外延层上提供的第二外延层，所述第二外延层具有与所述第一外延层相同的导电型，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值为等于或小于5×1017个原子/cm3；其中，通过将调节晶格常数的材料掺杂进入所述第一外延层中，控制所述第一外延层的晶格常数(a1)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a1‑aSi)/aSi)以及所述第二外延层的晶格常数(a2)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a2‑aSi)/aSi)小于临界晶格错配度。
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