[发明专利]反应腔室控温装置及应用该控温装置的半导体处理设备无效
申请号: | 201110227394.0 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN102925873A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 张慧 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔室控温装置,用于降低半导体处理设备的反应腔室的温度,其包括冷却装置,所述冷却装置环绕在所述反应腔室的外围或者在对反应腔室进行降温时移至反应腔室的外围。本发明还提供了一种半导体处理设备,其具有本发明提供的反应腔室控温装置。本发明提供的反应腔室控温装置,其能够使反应腔室实现快速降温,从而使反应腔室可在不同温度之间快速频繁切换,可为不同工艺过程提供较佳的工艺温度,进而提高工艺效率及工艺加工质量。本发明提供的半导体处理设备具有同样的优点。 | ||
搜索关键词: | 反应 腔室控温 装置 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室控温装置,用于控制半导体处理设备的反应腔室的温度,其特征在于包括冷却装置,所述冷却装置环绕在所述反应腔室的外围或者在对反应腔室进行降温时移至反应腔室的外围。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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