[发明专利]半导体结构与制作方法无效
| 申请号： | 201110227536.3 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102931315A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良 | 申请（专利权）人： | 叶哲良 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾台中市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，其包含有一c-plane蓝宝石基板、一纳米结构以及一m-plane氮化镓磊晶层。纳米结构形成在c-plane蓝宝石基板上。m-plane氮化镓磊晶层形成在c-plane蓝宝石基板的纳米结构上。其中，本发明半导体结构的X光摇摆曲线的半峰全幅值为316角秒。此外，本发明半导体结构的方均根表面粗糙度为0.3纳米，满足于今日方均根表面粗糙度须小于±0.5纳米的制造需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包含有：一c‑plane蓝宝石基板；一纳米结构形成在该c‑plane蓝宝石基板上；以及一m‑plane(10‑10)氮化镓磊晶层形成在该c‑plane蓝宝石基板的该纳米结构上。
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