[发明专利]N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法

摘要

本发明涉及一种N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法。以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，具体工艺步骤：方棒机械抛光，抛光电流6-10A，工件移动速度10-25mm/min，用HF酸与HNO3化学抛光，多线切割，硅片脱胶，硅片清洗，硅片烘干；在硅单晶切割、脱胶、清洗工艺中减小沾污以保持N型单晶硅片的寿命，本发明实用、效率高、成本低，能够制得N型、<100>晶向、电阻率范围为1～20Ω·cm、IRON (Fe)＜5E+13atoms/cm2、COPPER(Cu)＜20E+13atoms/cm2、少数载流子寿命＞1000μs的太阳能级单晶硅片，使其远优于普通方法制得的N型单晶硅片，能满足高效太阳能电池的要求。

主权项

一种太阳能级N型高少子寿命单晶硅片，其特征在于该单晶硅片为：<100>晶向，电阻率范围为1～20Ω·cm、少数载流子寿命＞1000μs，Fe＜5E+13atoms/cm2，Cu＜20E+13atoms/cm2，间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma，替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。