[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201110228133.0 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931243A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 辜琼谊;牛学鹏;杨培 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碲化镉（CdTe）薄膜太阳电池及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的背接触结构中包括与CdTe薄膜太阳电池层相接触的CuxS背接触层（0.88≤x≤2）。该CdTe薄膜太阳电池接触电阻小，转换效率高，并且成本相对较低。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构中包括与碲化镉层相接触的CuxS背接触层，其中， 0.88≤x≤2 。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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