[发明专利]多重密封环结构无效
| 申请号： | 201110229045.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102376654A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 密封 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，具有密封环区域和电路区域；第一密封环结构，位于所述密封环区域上方；第二密封环结构，位于所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构；和第一钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方。
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