[发明专利]取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物无效
申请号: | 201110229414.8 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102931293A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 郑佳仁;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/052 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种可取代现有非晶硅薄膜太阳电池背反射电极的方法,本发明之内容为先在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜,最后沉积金属导电层薄膜。而其中微晶硅氧薄膜薄膜为透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备,经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备,并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升,尤其是提升红光光谱的吸收,增加了短路电流的输出。 | ||
搜索关键词: | 取代 非晶硅 薄膜 太阳电池 反射层 金属 氧化物 | ||
【主权项】:
一种可提升非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖背反射层技术,其技术方法包括在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜,最后沉积金属导电层薄膜。本发明中的微晶硅氧薄膜则是透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备,经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备,并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升,尤其是提升红光光谱的吸收,增加了非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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