[发明专利]一种SRAM编程点抗幅照加固方法及其实现电路有效
| 申请号： | 201110229454.2 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102360566A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王丽云;陈利光;王健;王元;周灏;来金梅;童家榕 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于LUTFPGA的SRAM编程点抗幅照加固方法及其实现电路。本发明利用忆阻器的可编程特性，将其嵌入到传统的SRAM单元中，再添加写入电路。在使用时，通过对忆阻器进行编程，将其配置为非对称存储单元结构。忆阻器有高阻和低阻两种状态，其工艺与传统CMOS工艺兼容。这种非对称结构完全免疫于单粒子翻转（SEU）效应和单粒子引起的多位翻转（MBU）效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 编程 点抗幅照 加固 方法 及其 实现 电路 | ||
【主权项】：
一种SRAM编程点抗幅照加固方法，其特征在于：首先，将忆阻器嵌入到现有的SRAM单元中，再添加写入电路；然后，在使用时，通过对忆阻器进行编程，将其配置为非对称存储单元结构。
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