[发明专利]低压下的分子粘附键合方法有效
| 申请号： | 201110229518.9 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102376623A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁卡特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/98;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压下的分子粘附键合方法，这种至少第一晶片(20)和第二晶片(30)之间的分子粘附键合方法至少包括机械对准步骤、使两个晶片(20，30)相接触的步骤以及在两个晶片之间引发键合波的传播的步骤。在机械对准步骤和使两个晶片相接触的步骤中，所述晶片被置于具有大于或等于预定压强阈值的第一压强(P1)的环境中。在引发键合波的传播的步骤中，所述晶片(20，30)被置于具有小于所述预定压强阈值的第二压强(P2)的环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 压下 分子 粘附 方法 | ||
【主权项】：
一种至少第一晶片(20)和第二晶片(30)之间的分子粘附键合方法，至少包括机械对准步骤、使两个晶片(20，30)相接触的步骤以及在两个晶片之间引发键合波的传播的步骤，其特征在于，在所述机械对准步骤和使两个晶片相接触的步骤中，所述晶片被置于具有大于或等于预定压强阈值的第一压强(P1)的环境中，在引发键合波的传播的步骤中，所述晶片(20，30)被置于具有小于所述预定压强阈值的第二压强(P2)的环境中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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