[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤：依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材上；图案化所述第一光阻层；蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及沟道内；移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，本发明可减少制程的光掩膜数，且仅需对金属进行一次湿蚀刻。

主权项

一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：形成栅极于透明基材上；依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材及所述栅极上；图案化所述第一光阻层，以形成一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及所述沟道内；移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。