[发明专利]一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路在审
| 申请号： | 201110229831.2 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931922A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郝明丽 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 史旭泰 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑南新区*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路属于射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明提供一种版图布局复杂程度低的高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明包括射频功率晶体管，其结构要点射频功率晶体管的输入端串接有片内平面螺旋电感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 射频 功率放大器 单片 集成电路 | ||
【主权项】：
一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，包括射频功率晶体管（102），其特征在于射频功率晶体管（102）的输入端串接有片内平面螺旋电感（101）。
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