[发明专利]一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法是对已经图形化的半导体衬底上所形成的微图案窗口两侧的各层进行步骤：(1)干法刻蚀去除光刻胶层；(2)、第一次湿法刻蚀，包括：氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒；硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟；(3)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，磷酸清洗，清洗时间大于10分钟。通过分阶段的两次湿法腐蚀，尤其是第二次湿法腐蚀中，长时间的氢氟酸清洗，将光刻胶层以及抗发射层中的二氧化硅彻底清除，从而杜绝了制程工艺中二氧化硅剥落缺陷的产生，保证了半导体器件的质量。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于包括步骤：1).提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成介质层、栅层、抗反射层和光刻胶层，其中所述抗反射层包括位于栅层上的氮氧化硅层和位于氮氧化硅层上的二氧化硅层；2).在光刻胶上光刻出一带有半导体器件功能性的微图案；以该光刻胶层为掩模，对抗反射层进行刻蚀，将上述微图案转移到抗反射层上；以上述光刻胶层和抗反射层为掩模，对栅层进行刻蚀，将上述微图案转移到栅层上，在所述半导体衬底和介质层上形成半导体器件功能性的微图案窗口；3)、干法刻蚀去除所述微图案窗口两侧的光刻胶层，使大部分光刻胶层去除，同时形成自然氧化层和残留有机物的混合层；4)、第一次湿法刻蚀，包括：氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒，以去除自然氧化层和抗反射层中的部分二氧化硅层；硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟，以清除残留有机物；5)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，以清除第一次湿法刻蚀未能完全清除的二氧化硅残留；磷酸清洗，清洗时间大于10分钟，以清除抗反射层中的氮氧化硅层；