[发明专利]包括多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件有效
申请号: | 201110230441.7 | 申请日: | 2011-08-12 |
公开(公告)号: | CN102569398A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 郑现钟;李载泓;李载昊;申炯澈;徐顺爱;李晟熏;许镇盛;梁喜准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括:基板;形成在基板上的栅电极;第一栅绝缘膜,覆盖基板上的栅电极;多个石墨烯沟道层,形成在基板上,并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜;源电极和漏电极,连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。 | ||
搜索关键词: | 包括 石墨 沟道 电子器件 | ||
【主权项】:
一种石墨烯电子器件,具有多个石墨烯沟道层,所述石墨烯电子器件包括:基板;形成在所述基板上的栅电极;第一栅绝缘膜,覆盖所述基板上的所述栅电极;多个石墨烯沟道层,形成在所述第一栅绝缘膜上,并具有位于所述多个石墨烯沟道层之间的第二栅绝缘膜;和源电极和漏电极,连接到所述多个石墨烯沟道层的每个的两边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团,未经三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110230441.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类