[发明专利]一种小体积高耐压MOSFET有效
| 申请号： | 201110230447.4 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102280485A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种小体积高耐压MOSFET，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(102)，有源区(101)位于半导体基板的中心区，边缘区(102)环绕在有源区(101)的四周上方，边缘区(102)的下方主扩散结(1)的上方覆盖有SiO2层(6)，其特征在于：有源区(101)和边缘区(102)的主扩散结(1)为贯穿半导体基板中心区的PN结平面层，SiO2层(6)外围及边缘区(102)侧面覆盖有钝化层(9)。与现有技术相比，省去高压终止区架构和多个P-降压环，可减小MOSFET的体积40％-70％；取消MOSFET主扩散结的弯曲弧度部位，可降低电场强度，提高耐压性能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体积 耐压 mosfet | ||
【主权项】：
一种小体积高耐压MOSFET，包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(102)，有源区(101)位于半导体基板的中心区，边缘区(102)环绕在有源区(101)的四周上方，边缘区(102)的下方主扩散结(1)的上方覆盖有SiO2层(6)，其特征在于：有源区(101)和边缘区(102)的主扩散结(1)为贯穿半导体基板中心区的PN结平面层，SiO2层(6)外围及边缘区(102)侧面覆盖有钝化层(9)。
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