[发明专利]一种MEMS压阻式拉压力芯片及传感器的制作方法

摘要

本发明提供了一种MEMS压阻式拉压力芯片制作方法，该方法包括：提供具有硅衬底的晶片，双面氧化所述硅衬底后，在晶片器件面的氧化层下方的硅衬底中离子注入形成四个压敏电阻并组成惠斯顿电桥，腐蚀所述硅衬底的背面形成感应膜并制作导线形成MEMS压阻式拉压力芯片。采用本发明方法制作的MEMS压阻式拉压力芯片及传感器，大幅改善压敏电阻的一致性，减小上述压敏电阻组成的惠斯顿电桥的零点输出和零点温度漂移；以具有上述惠斯顿电桥的感应膜作为半导体应变片，解决了MEMS压阻式拉压力芯片及其传感器的一致性差、稳定性低以及漏电流难于控制的问题，也提高了MEMS压阻式拉压力芯片及其传感器的制作成品率。

主权项

一种MEMS压阻式拉压力芯片的制作方法，提供一具有N型硅衬底的晶片，其特征在于，该方法包括：在晶片的晶片器件面和背面生长氧化层；晶片器件面的所述氧化层下方的硅衬底中离子注入形成压敏电阻；所述压敏电阻周围扩散形成p型区；腐蚀晶片背面的所述氧化层和硅衬底，形成感应膜；刻蚀位于所述p型区上方的晶片器件面的氧化层形成引线孔后，在引线孔中溅射金属制成导线，所述导线电连接所述压敏电阻形成惠斯顿电桥；划片分离出MEMS压阻式拉压力芯片。