[发明专利]锗硅异质结双极型三极管功率器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极型三极管功率器件，包括：一集电区，由N型埋层、N型外延加上第一离子注入区和第二离子注入区组成；所述N型埋层的掺杂浓度大于所述N型外延的掺杂浓度；一基区，由形成于N型外延上的锗硅外延层组成，包括硅缓冲层、锗硅层和硅帽层，锗硅层和硅帽层分别掺杂有硼，且锗硅层的掺杂浓度大于硅帽层的掺杂浓度；一发射区，由形成于本征基区上部的多晶硅组成，和本征基区形成接触，多晶硅中进行N型离子注入退火后形成发射极-基极结。本发明还公开了一种所述三极管的制造方法。本发明提高器件的击穿电压、输出功率增益和工作频率，并降低集电极的电阻、集电极-基极电容、外基区串联电阻。

主权项

一种锗硅异质结双极型三极管功率器件，形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其特征在于，所述三极管包括：一集电区，由形成于P型硅衬底上的N型埋层、形成于N型埋层上被场氧区隔离的N型外延加上第一离子注入区和第二离子注入区组成；所述第一离子注入区位于N型埋层上并和所述N型外延形成连接，所述第二离子注入区位于场氧区之间的N型外延中；所述N型埋层的掺杂浓度大于所述N型外延的掺杂浓度；一基区，由形成于N型外延上的锗硅外延层组成，其包括一本征基区和一外基区，所述本征基区和集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极；所述锗硅外延层包括硅缓冲层、锗硅层和硅帽层，所述锗硅层和硅帽层分别掺杂有硼，且锗硅层的掺杂浓度大于硅帽层的掺杂浓度；一发射区，由形成于本征基区上部的多晶硅组成，和所述本征基区形成接触，所述发射极多晶硅中进行N型离子注入退火后形成发射极‑基极结。